金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN 119743995 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，方法包括：在沟道露出的鳍部的侧壁和顶部形成第一保护层；对第一保护层露出的凸起部的侧壁进行横向刻蚀，使剩余凸起部的侧壁相对于鳍部的侧壁向内凹进；对第一保护层露出的凸起部的侧壁进行横向刻蚀之后，去除第一保护层；在沟槽中形成隔离结构，隔离结构的顶部低于凸起部的顶部；形成隔离结构之后，在沟槽的侧壁形成第二保护层，第二保护层覆盖鳍部的侧壁以及沟槽露出的凸起部侧壁。对沟槽露出的凸起部的侧壁进行横向刻蚀，使剩余凸起部的侧壁相对于鳍部的侧壁向内凹进之后，使第二保护层能够将同一垂直面上的鳍部侧壁和凸起部侧壁覆盖住，也增大了形成第二保护层的工艺窗口，从而提高了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息147条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
本文源自金融界